p型半导体和n型半导体区别图片

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≥▂≤ 台积电申请半导体结构、传感器器件及形成光电探测器的方法专利,...用于光电探测器的半导体结构包括半导体衬底,半导体衬底包括雪崩区域,在雪崩区域处,p型区域和n型区域形成PN结。内部吸收层凹入到半导体衬底中,其中,内部吸收层具有朝向雪崩区域突出的底部突起。外围吸收层位于内部吸收层的侧壁和内部吸收层的底部上,并且还从该侧壁延伸至底...

∩０∩ 东微半导申请半导体功率器件制造方法专利,可在n型外延层内形成浅沟槽本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种半导体功率器件的制造方法,包括:在n型外延层内形成浅沟槽;在所述浅沟槽的侧壁处形成绝缘侧墙;在所述n型外延层内形成栅沟槽;在所述栅沟槽内形成栅极结构;进行倾斜的p型离子注入并退火,在所述n型外延层内形成p型体区;进行倾斜...

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,提供一种半导体结构及其...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117542857A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括:衬底;位于衬底内邻接设置的N型阱和P型阱;位于N型阱内的第一N型掺杂区和第一P型掺...

华为公司申请半导体架构专利,专利技术可实现高电流器件和功率性能...金融界2024年1月26日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“半导体架构和制造半导体架构的方法“,公开号CN117461139A,申请日期为2021年6月。专利摘要显示,一种半导体架构包括衬底、n型晶体管和p型晶体管,所述n型晶体管和所述p型晶体管各自形成在所...

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∪ω∪ 半导体技术迎重大突破?钙钛矿阳离子可大幅提高晶体管性能……“如果将低温制程p型半导体的性能提高到与n型半导体相当的水平,就可以制造出性能更快的电子电路,并大大提高数据处理速度。我们希望这项研究能够在电气和电子工程领域找到广泛的应用,利用半导体和晶体管的潜力。”他们说。 本研究得到了韩国国家研究基金会(NRF)创新化学工...

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华为公司申请光电探测器专利,实现高功率并提升响应度和宽带每一PIN结中包括半导体衬底;依次相邻设置的N型区、本征区、第一P型区、第二P型区和第三P型区,且半导体衬底在与第二P型区对应的区域... 可以利用吸收层的掺杂浓度调整第一P型区的掺杂浓度,从而可以调节本征区和吸收层的内部电场差异,进而提升响应度和宽带。本文源自金融界

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比亚迪半导体申请半导体器件和半导体器件的控制方法以及制备方法...本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的控制方法以及制备方法,所述半导体器件包括:半导体衬底,在所述半导体衬底的正面设置有正面电路结构;在所述半导体衬底的背面设置有N型场截止层、P型集电区、背面电极结构、隔离层和背面集电极层;其中,所述背面电极结构包括依次层叠...

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∪＾∪ 北京大学申请一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法专利,提高半导体...据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法“,公开号CN117388662A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法,属于半导体技术领域。该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL。本文源...

台积电申请半导体装置专利,实现在金属栅极结构的上方形成连续的...台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置、其制造方法及形成连续的金属盖的方法“,公开号CN117423736A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,半导体装置包含:在半导体基板上方的栅极结构,具有高介电系数介电层、P型功函数层、N型功函数层、介电抗反应层及...

˙▽˙ 三星取得光电器件和图像传感器专利,提高了对特定波长光的响应性能公开了光电器件和图像传感器及电子设备。所述光电器件包括:第一电极;第一光电转换层,其在所述第一电极上并且包括包含第一p型半导体和第一n型半导体的异质结;第二光电转换层,其在所述第一光电转换层上并且包括包含第二p型半导体和第二n型半导体的异质结;和在所述第二光电转...