p型半导体和n型半导体_p型半导体和n型半导体

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●▽● 台积电申请半导体结构、传感器器件及形成光电探测器的方法专利,...用于光电探测器的半导体结构包括半导体衬底,半导体衬底包括雪崩区域,在雪崩区域处,p型区域和n型区域形成PN结。内部吸收层凹入到半导体衬底中,其中,内部吸收层具有朝向雪崩区域突出的底部突起。外围吸收层位于内部吸收层的侧壁和内部吸收层的底部上,并且还从该侧壁延伸至底...

东微半导申请半导体功率器件制造方法专利,可在n型外延层内形成浅沟槽本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种半导体功率器件的制造方法,包括:在n型外延层内形成浅沟槽;在所述浅沟槽的侧壁处形成绝缘侧墙;在所述n型外延层内形成栅沟槽;在所述栅沟槽内形成栅极结构;进行倾斜的p型离子注入并退火,在所述n型外延层内形成p型体区;进行倾斜...

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,提供一种半导体结构及其...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117542857A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括:衬底;位于衬底内邻接设置的N型阱和P型阱;位于N型阱内的第一N型掺杂区和第一P型掺...

华为公司申请半导体架构专利,专利技术可实现高电流器件和功率性能...金融界2024年1月26日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“半导体架构和制造半导体架构的方法“,公开号CN117461139A,申请日期为2021年6月。专利摘要显示,一种半导体架构包括衬底、n型晶体管和p型晶体管,所述n型晶体管和所述p型晶体管各自形成在所...

华为公司申请光电探测器专利,实现高功率并提升响应度和宽带每一PIN结中包括半导体衬底;依次相邻设置的N型区、本征区、第一P型区、第二P型区和第三P型区,且半导体衬底在与第二P型区对应的区域具有凹槽;凹槽内设置有吸收层,吸收层的材料包括P型掺杂材料。当光被吸收层吸收并产生光生载流子后,在吸收层的P型掺杂的作用下,只有电子能...

ˇ△ˇ 中科院半导体所反型结构钙钛矿太阳能电池研究获进展【中科院半导体所反型结构钙钛矿太阳能电池研究获进展】财联社11月24日电,近期,中国科学院半导体研究所研究员游经碧带领的团队,在p-i-n反型结构钙钛矿太阳能电池的p型空穴传输层设计和可控生长等方面取得了重要进展。该团队创新性地在透明导电衬底FTO和SAM层之间引入溶...

?▽? 中科院半导体所反型结构钙钛矿太阳能电池研究获得进展n型金属氧化物如SnO2和低载流子复合损失的p型自组装分子(SAM)分别作为电子和空穴传输层,可兼得器件的效率和稳定性,近年来备受关注。然而,厚度仅为几纳米的SAM层存在大面积均匀生长困难的挑战,影响钙钛矿电池的重复性和高效大面积化发展。近期,中国科学院半导体研究所研...

半导体技术迎重大突破?钙钛矿阳离子可大幅提高晶体管性能……“如果将低温制程p型半导体的性能提高到与n型半导体相当的水平,就可以制造出性能更快的电子电路,并大大提高数据处理速度。我们希望这项研究能够在电气和电子工程领域找到广泛的应用,利用半导体和晶体管的潜力。”他们说。 本研究得到了韩国国家研究基金会(NRF)创新化学工...

北京大学申请一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法专利,提高半导体...据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法“,公开号CN117388662A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法,属于半导体技术领域。该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL。本文源...

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台积电申请半导体装置专利,实现在金属栅极结构的上方形成连续的...台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置、其制造方法及形成连续的金属盖的方法“,公开号CN117423736A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,半导体装置包含:在半导体基板上方的栅极结构,具有高介电系数介电层、P型功函数层、N型功函数层、介电抗反应层及...