p型半导体带什么电_p型半导体带什么电

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华光光电申请一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法...金融界2024年7月28日消息,天眼查知识产权信息显示,山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法“,公开号CN202410397483.7,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的...

...取得半导体装置专利,该半导体装置包含 n 型源极/漏极磊晶层、p 型源...金融界 2024 年 7 月 12 日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置“,授权公告号 CN221327722U,申请日期为 2023 年 11 月。专利摘要显示,一种半导体装置包含 n 型源极/漏极磊晶层、p 型源极/漏极磊晶层以及介电层。介电层在该 n 型...

...GCT器件及其制备方法专利,通过控制P型半导体掺杂基层小区域的...沟槽栅MOS‑GCT器件包括P型半导体掺杂门极区、P型半导体掺杂漏区、N型半导体辅助区、N型半导体掺杂阴极区、P型半导体掺杂基区、N型半导体掺杂漂移区、N型半导体掺杂场阻止区、P型半导体掺杂阳极区以及金属化阳极区;P型半导体掺杂基区包括若干个P型半导体掺杂基层...

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台积电取得半导体结构专利,半导体结构包括第一p型外延部件、第二p...金融界2024年2月22日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构“,授权公告号CN220510030U,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括第一p型外延部件、第二p型外延部件、层间介电层、第一...

华为公司申请半导体器件专利,降低N型FET与P型FET之间的晶格失配...方向依次堆叠,第一场效应晶体管堆叠在衬底层的表面;分隔层的成分含量沿垂直于衬底层的方向渐变,分隔层的成分与第一沟道的成分以及第二沟道的成分有关联关系,分隔层的成分为半导体材料。通过上述器件,本申请能够降低N型FET与P型FET之间的晶格失配程度。本文源自金融界

盛美上海:推出Ultra C vac-p面板级先进封装负压清洗设备据盛美上海官微,盛美上海于今日推出适用于扇出型面板级封装应用的Ultra C vac-p负压清洗设备。该设备利用负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物,显著提高了清洗效率——标志着盛美上海成功进军高增长的扇出型面板级封装市场。盛美上海宣布一家中国大型半导体制造商已订购...

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盛美上海推出Ultra C vac-p 面板级先进封装负压清洗设备盛美上海于今日推出适用于扇出型面板级封装应用的Ultra C vac-p负压清洗设备。该设备利用负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物,显著提高了清洗效率——标志着盛美上海成功进军高增长的扇出型面板级封装市场。盛美上海宣布一家中国大型半导体制造商已订购Ultra C vac-p面板...

东微半导申请半导体超结功率器件专利,形成p‑n结二极管结构苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体超结功率器件“的专利,公开号CN202211649969.2,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件,包括:n型半导体层,位于所述n型半导体层内的多个p型柱;位于所述n型半导体层内且位于所述p型...

东微半导申请半导体超结功率器件专利,将形成p‑n结二极管结构苏州东微半导体股份有限公司申请一项名为“半导体超结功率器件“,公开号CN202211651724.3,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件,包括:n型半导体层;位于所述n型半导体层内的多个p型柱;位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部...

台积电申请半导体二极管结构专利,提供静电放电保护本申请的实施例提供了半导体二极管结构、静电放电保护电路及其形成方法。二极管结构包括硅剩余层、设置在硅剩余层上的第一 p 型掺杂区和设置在硅剩余层上的第一 n 型掺杂区。第一沟道区设置在硅剩余层上并且在第一 p 型掺杂区和第一 n 型掺杂区之间,其中第一沟道区、第一 p...