p型半导体_p型半导体

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一、p型半导体掺入几价元素

台积电取得半导体结构专利,半导体结构包括第一p型外延部件、第二p...金融界2024年2月22日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构“,授权公告号CN220510030U,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括第一p型外延部件、第二p型外延部件、层间介电层、第一...

二、p型半导体带正电还是负电

三、p型半导体和n型半导体区别

＋ω＋ 台积电申请半导体结构、传感器器件及形成光电探测器的方法专利,...用于光电探测器的半导体结构包括半导体衬底,半导体衬底包括雪崩区域,在雪崩区域处,p型区域和n型区域形成PN结。内部吸收层凹入到半导体衬底中,其中,内部吸收层具有朝向雪崩区域突出的底部突起。外围吸收层位于内部吸收层的侧壁和内部吸收层的底部上,并且还从该侧壁延伸至底...

四、p型半导体中多数载流子是

五、p型半导体是在本征半导体中掺入几价元素

华为公司取得半导体器件及制造方法专利,实现具有低导通电阻,高可靠...本申请公开了一种半导体器件及制造方法,该器件通过沟槽栅结构,沟槽底部沟道设置,纵向场板、纵向P‑N结构的双纵向RESURF技术,减少元胞... 本申请可以基于传统低成本制造技术,实现具有低导通电阻,高可靠性的双向耐压的MOS型开关器件。此外,本申请还公开了一种终端设备。本文...

六、p型半导体为什么叫p

七、p型半导体主要靠什么导电

中科院半导体所反型结构钙钛矿太阳能电池研究获进展【中科院半导体所反型结构钙钛矿太阳能电池研究获进展】财联社11月24日电,近期,中国科学院半导体研究所研究员游经碧带领的团队,在p-i-n反型结构钙钛矿太阳能电池的p型空穴传输层设计和可控生长等方面取得了重要进展。该团队创新性地在透明导电衬底FTO和SAM层之间引入溶...

八、p型半导体掺入什么元素

中科院半导体所反型结构钙钛矿太阳能电池研究获得进展据中国科学院半导体研究所消息,钙钛矿太阳能电池被认为是未来最具潜力的光伏技术之一。过去十多年,高光电转换效率的钙钛矿电池大多采用n-i-p正型器件结构,但处于电池顶层的常用p型有机小分子Spiro-OMeTAD存在易吸水与热稳定性较差等问题,制约了钙钛矿太阳能电池稳定性的...

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东微半导申请半导体功率器件制造方法专利,可在n型外延层内形成浅沟槽本发明属于半导体功率器件技术领域,具体公开了一种半导体功率器件的制造方法,包括:在n型外延层内形成浅沟槽;在所述浅沟槽的侧壁处形成绝缘侧墙;在所述n型外延层内形成栅沟槽;在所述栅沟槽内形成栅极结构;进行倾斜的p型离子注入并退火,在所述n型外延层内形成p型体区;进行倾斜...

(＊?↓˙＊) 长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,提供一种半导体结构及其...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117542857A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括:衬底;位于衬底内邻接设置的N型阱和P型阱;位于N型阱内的第一N型掺杂区和第一P型掺...

∪ω∪ 半导体技术迎重大突破?钙钛矿阳离子可大幅提高晶体管性能……这将重塑半导体技术。 最新研究成果已于近期发表在了《自然电子》杂志上。 据了解,在半导体技术中,n型和p型晶体管都是构建电子电路所必需的。n型半导体通过电子的运动促进电流流动,而p型半导体允许电流通过空穴的运动。尽管电子电路需要n型和p型半导体,但由于大多数半导体...

∩▽∩ 台积电申请制造半导体器件的方法专利,该方法能有效调制器件的阈值...台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“制造半导体器件的方法“,公开号CN117457498A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,用于调制器件的阈值电压的方法。该方法包括提供从衬底延伸的鳍,其中鳍包括多个半导体沟道层,该多个半导体沟道层限定了用于P‑型晶体管的沟道...

北京大学申请一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法专利,提高半导体...据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法“,公开号CN117388662A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种提取隧穿场效应晶体管参数的方法,属于半导体技术领域。该方法用半导体参数分析仪测量N型或P型DL。本文源...